内存时序详解

2021年1月25日发(作者：英语过去完成时)
内存时序详解

超频内存的时候有两种，
一种是提高内存的主频，
这 个可以使得内存的读写数据的速度
更快，
类似高速公路上的车速，
而内存时序是指控制 内存数据读写指令的速度，
类似收费口，
路上的车速再快最终也是要上下高速公路的，
只不过并不是只有一个口，
因此内存时序只要
够用就可以了。



内存频率和时序的超频都有可能导致内存的不稳定，导致无法开机，解决办法就是清
BIOS< br>恢复
BIOS
的默认设置。


内存时序


一种参数，一般存储在内存条的
SPD
上。
2-2-2-8
4
个数字的含义依次为：
CAS
Latency
（简称
C L
值）
内存
CAS
延迟时间，
他是内存的重要参数之一，
某 些牌子的内存会把
CL
值印
在内存条的标签上。
RAS
－
t o
－
CAS Delay
（
tRCD
）
，内存行地址传输到 列地址的延迟时间。
Row
－
precharge
Delay
（< br>tRP
）
，
内存行地址选通脉冲预充电时间。
Row
－
active
Delay
（
tRAS
）
，
内存行地址选 通延迟。
这是玩家最关注的
4
项时序调节，
在大部分主板的
BIOS
中可以设定，
内存模组厂商也有计划的推出了低于
JEDEC
认证标准的低延 迟型超频内存模组，
在同样频率
设定下，最低“
2-2-2-5
”这种序列时 序的内存模组确实能够带来比“
3-4-4-8
”更高的内存
性能，幅度在
3
至
5
个百分点。


在一些技术文章里介绍内存设置时序参数时，
一般数字
“
A-B- C-D
”
分别对应的参数是
“
CL-tRCD-tRP-tRAS
”
，现在你该明白“
2-3-3-6
”是什么意思了吧？！
^_^
下面 就这几个参
数及
BIOS
设置中影响内存性能的其它参数逐一给大家作一介绍：


一、内存延迟时序“
CL-tRCD-tRP- tRAS
”的设置


首先，
需要在
BIOS中打开手动设置，
在
BIOS
设置中找到
“
DRAM
Timing
Selectable
”
，
BIOS
设置中 可能出现的其他描述有：
Automatic Configuration
、
DRAM Auto
、
Timing
Selectable
、
Timing Configuring By SPD等，将其值设为“
Menual
”
（视
BIOS
的不同可能的选项有：
On/Off
或
Enable/Disable
）
，
如果要调整内存时序，
应该先打开手动设置，
之后
会自动出现详细的时序参数 列表：

Command Per Clock(CPC)
< br>可选的设置：
Auto
，
Enable(1T)
，
Disab le(2T)
。

Command
Per
Clock (CPC
：
指令比率，
也有翻译为：
首命令延迟
)
，
一般还被描述为
DRAM
Command Rate
、
CMD Rate
等。由于目前的
DDR
内存的寻址，先要进行
P-Bank
的选择（ 通过
DIMM
上
CS
片选信号进行）
，
然后才是
L -Bank/
行激活与列地址的选择。
这个参数的含义就是
指在
P-Bank
选择完之后多少时间可以发出具体的寻址的
L-Bank/
行激活命令，单位是时钟< br>周期。


显然，也是越短越好。但当随着主板上内存模组的增多，控 制芯片组的负载也随之增
加，过短的命令间隔可能会影响稳定性。因此当你的内存插得很多而出现不太稳 定的时间，
才需要将此参数调长。目前的大部分主板都会自动设置这个参数。


该参数的默认值为
Disable(2T)
，如果玩家的内存质量很好，则可以将其设 置为
Enable(1T)
。

CAS Latency Control(tCL)

可选的设置：
Auto
，
1
，
1.5
，
2
，
2.5
，
3
，
3.5
，
4
，
4.5
。

一般我们在查阅内存的时序参数时，
如
“
3-4-4-8
”
这一 类的数字序列，
上述数字序列
分别对应的参数是“
CL-tRCD-tRP-tRAS
”
。这个
3
就是第
1
个参数，即
CL
参数 。

CAS
Latency
Control(
也被描 述为
tCL
、
CL
、
CAS
Latency
Time
、
CAS
Timing
Delay)
，
CAS
latency
是“内存读写操作前列地址 控制器的潜伏时间”
。
CAS
控制从接受一个指令到执
行指令之间的时间。< br>因为
CAS
主要控制十六进制的地址，
或者说是内存矩阵中的列地址，
所
以它是最为重要的参数，在稳定的前提下应该尽可能设低。


内 存是根据行和列寻址的，
当请求触发后，
最初是
tRAS
（
Acti vetoPrecharge
Delay
）
，
预充电后，内存才真正开始初 始化
RAS
。一旦
tRAS
激活后，
RAS
（
Ro w Address Strobe
）
开始进行需要数据的寻址。首先是行地址，然后初始化
tRCD
，周期结束，接着通过
CAS
访
问所需数据的精确十六进制 地址。
期间从
CAS
开始到
CAS
结束就是
CAS
延迟。
所以
CAS
是找
到数据的最后一个步骤，也是内存参数中最重要的。< br>

这个参数控制内存接收到一条数据读取指令后要等待多少个时钟周期才实际执 行该指
令。
同时该参数也决定了在一次内存突发传送过程中完成第一部分传送所需要的时钟周期 数。
这个参数越小，
则内存的速度越快。
必须注意部分内存不能运行在较低的延迟，< br>可能会丢失
数据，
因此在提醒大家把
CAS
延迟设为
2
或
2.5
的同时，
如果不稳定就只有进一步提高它了。
而且提高延迟能使内 存运行在更高的频率，
所以需要对内存超频时，
应该试着提高
CAS
延迟。< br>

该参数对内存性能的影响最大，在保证系统稳定性的前提下，
CA S
值越低，则会导致
更快的内存读写操作。
CL
值为
2
为会 获得最佳的性能，
而
CL
值为
3
可以提高系统的稳定性。
注 意，
WinbondBH-5/6
芯片可能无法设为
3
。

RAS# to CAS# Delay(tRCD)

可选的 设置：
Auto
，
0
，
1
，
2
，
3
，
4
，
5
，
6
，
7
。


该值就是
“
3-4-4-8
”
内存时序参数中的 第
2
个参数，
即第
1
个
4
。
RAS#
to
CAS#
Delay(
也
被描述为：
tRCD
、
RAS to CAS Delay
、
Active to CMD)
，表示

行寻址 到列寻址延迟时间

，
数值越小，
性能越好。
对内存进行读、
写或刷新操作时，
需要在这两种脉冲信号之间插入延
迟时钟周期。在
JEDEC
规范中，它是排在第二的参数，降低此延时，可以提高系统性能。建
议该值设置为
3
或
2
，但如果该值设置太低，同样会导致系统不稳定。该值为
4
时，系统将< br>处于最稳定的状态，而该值为
5
，则太保守。


如 果你的内存的超频性能不佳，则可将此值设为内存的默认值或尝试提高
tRCD
值。

Min RAS# Active Timing(tRAS)

可选的设置：
Auto
，
00
，
01
，
02，
03
，
04
，
05
，
06
，
07
，
08
，
09
，
10
，
11
，
12
，
13
，
14
，
15
。


该值就是该值就是
“
3-4-4-8
”
内存时序 参数中的最后一个参数，
即
8
。
Min
RAS#
Active
Time
(
也被描述为：
tRAS
、
Active
to
Precharge
Delay
、
Row
Active
Time
、
Precharge
Wait
State
、
Row Active Delay
、
Row Precharge Delay
、
RAS Active Time)
，表示“内存 行有效
至预充电的最短周期”
，调整这个参数需要结合具体情况而定，一般我们最好设在
5
－
10
之
间。这个参数要根据实际情况而定，并不是说越大或越小就越好 。


如果
tRAS
的周期太长，系统会因为无谓的等待而 降低性能。降低
tRAS
周期，则会导
致已被激活的行地址会更早的进入非激活状态。 如果
tRAS
的周期太短，则可能因缺乏足够
的时间而无法完成数据的突发传输，这样 会引发丢失数据或损坏数据。该值一般设定为
CAS
latency + tRCD + 2
个时钟周期。如果你的
CAS latency
的值为
2
，
tRCD
的值为
3
，则最佳
的
tRAS
值应该设置为7
个时钟周期。
为提高系统性能，
应尽可能降低
tRAS
的值，
但如果发
生内存错误或系统死机，则应该增大
tRAS
的值。


如果使用
DFI
的主板，则
tRAS
值建议使用
00
，或者
5-10
之间的值。

Row PrechargeTiming(tRP)

可选的设置：
Auto，
0
，
1
，
2
，
3
，
4，
5
，
6
，
7
。


该值就是
“
3-4-4-8
”
内存时序参数中的第
3
个参 数，
即第
2
个
4
。
Row
Precharge
Timing
(
也被描述为：
tRP
、
RAS
Precharge
、
Precharge
to
active)
，表示

内存行地址控制器预充
电时间

，预充电参数越小则内 存读写速度就越快。

tRP
用来设定在另一行能被激活之前，
RAS
需要的充电时间。
tRP
参数设置太长会导致所有
的行激活延迟过长，设为
2
可以减少预充电时间，从而更快地激活下一行。然而，想要把
tRP
设为
2
对大多数内存都是个很高的要求，可能会造成行激活之前的数据丢失，内存控制
器不能顺利地完 成读写操作。
对于桌面计算机来说，
推荐预充电参数的值设定为
2
个时钟周< br>期，这是最佳的设置。如果比此值低，则会因为每次激活相邻紧接着的
bank
将需要< br>1
个时
钟周期，
这将影响
DDR
内存的读写性能，
从 而降低性能。
只有在
tRP
值为
2
而出现系统不稳
定的情况 下，将此值设定为
3
个时钟周期。


如果使用
D FI
的主板，则
tRP
值建议
2-5
之间的值。值为
2将获取最高的性能，该值
为
4
将在超频时获取最佳的稳定性，同样的而该值为5
，则太保守。大部分内存都无法使用
2
的值，需要超频才可以达到该参数。
Row Cycle Time(tRC)

可选的设 置：
Auto
，
7-22
，步幅值
1
。

Row Cycle Time(tRC
、
RC)
，表示“
SDRAM
行周期时间”
，它是包括行单元预充电到激
活在内的整个过程所需要的最小的时钟周期数。< br>

其计算公式是：
row cycle time (tRC) = minimum row active time(tRAS) + row
precharge time(tRP)
。因此，设置该参数之前，你应该明白你的
tRAS
值和
tRP
值是多少。
如果
tRC
的时间过长，
会因在完成整个时钟周期 后激活新的地址而等待无谓的延时，
而降低
性能。
然后一旦该值设置过小，
在 被激活的行单元被充分充电之前，
新的周期就可以被初始
化。


在这种情况下，仍会导致数据丢失和损坏。因此，最好根据
tRC
=
tRAS
+
tRP
进行设
置，如果你的内存模块的
tR AS
值是
7
个时钟周期，而
tRP
的值为
4
个时钟 周期，则理想的
tRC
的值应当设置为
11
个时钟周期。

Row Refresh Cycle Time(tRFC)

可选的设置：Auto
，
9-24
，步幅值
1
。

Row Refresh Cycle Time(tRFC
、
RFC)
，表示“SDRAM
行刷新周期时间”
，它是行单元
刷新所需要的时钟周期数。该值也表示 向相同的
bank
中的另一个行单元两次发送刷新指令
(
即：
REF
指令
)
之间的时间间隔。
tRFC
值越小越好，它比
tRC
的值要稍高一些。


如果使用
DFI
的主板，< br>通常
tRFC
的值不能达到
9
，
而
10
为最 佳设置，
17-19
是内存超
频建议值。
建议从
17
开始依 次递减来测试该值。
大多数稳定值为
tRC
加上
2-4
个时钟周期。

Row to Row Delay(RAS to RAS delay)(tRRD)

可选的设置：
Auto
，
0-7
，每级以
1
的步幅递增。

Row to Row Delay
，也被称为
RAS to RAS delay (tRRD)
，表示
行单元到行单元的延
时

。该值也表示向相同的
bank
中的同一个行单元两次发送激活指令
(
即：
REF
指令
)
之 间的
时间间隔。
tRRD
值越小越好。


延迟越 低，
表示下一个
bank
能更快地被激活，
进行读写操作。
然而，< br>由于需要一定量
的数据，太短的延迟会引起连续数据膨胀。于桌面计算机来说，推荐
tR RD
值设定为
2
个时
钟周期，
这是最佳的设置，
此时的数据 膨胀可以忽视。
如果比此值低，
则会因为每次激活相
邻紧接着的
bank将需要
1
个时钟周期，这将影响
DDR
内存的读写性能，从而降低性能。 只
有在
tRRD
值为
2
而出现系统不稳定的情况下，将此值设定为< br>3
个时钟周期。


如果使用
DFI
的主板 ，则
tRRD
值为
00
是最佳性能参数，
4
超频内存时能达 到最高的
频率。通常
2
是最合适的值，
00
看上去很奇怪，但有人也 能稳定运行在
00-260MHz
。

Write Recovery Time(tWR)

可选的设置：
Auto
，
2
，
3
。

Write
Recovery
Time
(tWD)
，表示“写恢复延时”
。该值说明在一个激活的
bank
中完
成有效的写操作 及预充电前，
必须等待多少个时钟周期。
这段必须的时钟周期用来确保在预
充电发生前 ，
写缓冲中的数据可以被写进内存单元中。
同样的，
过低的
tWD
虽 然提高了系统
性能，
但可能导致数据还未被正确写入到内存单元中，
就发生了预充电操 作，
会导致数据的
丢失及损坏。


如果你使用的是
DDR200
和
266
的内存，
建议将
tWR
值设为2
；
如果使用
DDR333
或
DDR400
，
则将
tWD
值设为
3
。如果使用
DFI
的主板，则
tWR
值建议为
2
。

Write to Read Delay(tWTR)

可选的设置：
Auto
，
1
，
2
。

Write
to
Read
Delay
(tWTR )
，
表示
“读到写延时”
。
三星公司称其为
“
TC DLR
(last
data
in
to
read
command)
”
，即最后的数据进入读指令。它设定向
DDR
内存模块中 的同一个单元
中，在最后一次有效的写操作和下一次读操作之间必须等待的时钟周期。

tWTR
值为
2
在高时钟频率的情况下，降低了读性能，但提高了系统稳定性。这种 情况下，
也使得内存芯片运行于高速度下。换句话说，增加
tWTR
值，可以让内容模 块运行于比其默
认速度更快的速度下。
如果使用
DDR266
或
DD R333
，
则将
tWTR
值设为
1
；
如果使用DDR400
，
则也可试着将
tWTR
的值设为
1
，如 果系统不稳定，则改为
2
。

Refresh Period(tREF)

可选的设置：
Auto
，
0032-4708
，其步进值非固定。

Refresh Period (tREF)
，表示“刷新周期”
。它指内存模块的刷新周期。


先请看不同的参数在相同的内存下所对应的刷新周期
(
单位：
微秒，
即：
一百万分之一
秒
)
。
?
号在这里表示该刷新周期尚无对 应的准确数据。

1552= 100mhz(?.??s)
2064= 133mhz(?.??s)
2592= 166mhz(?.??s)
3120= 200mhz(?.??s)
---------------------
3632= 100mhz(?.??s)
4128= 133mhz(?.??s)
4672= 166mhz(?.??s)
0064= 200mhz(?.??s)
---------------------
0776= 100mhz(?.??s)
1032= 133mhz(?.??s)
1296= 166mhz(?.??s)
1560= 200mhz(?.??s)
---------------------
1816= 100mhz(?.??s)
2064= 133mhz(?.??s)
2336= 166mhz(?.??s)
0032= 200mhz(?.??s)
---------------------
0388= 100mhz(15.6us)
0516= 133mhz(15.6us)