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电池片衰减分析
业内都说电池片存在衰减。<
/p>
国家标准中也有一条“电池片存放半年后要重新标定”，
电池衰<
/p>
减好象一定存在。衰减原因还与工艺有关，如钝化工艺等。但有关专家说，
从电池片发电原
理上分析，
电池片在不暴晒，
并干燥的情况下是不存在衰减的。
所谓衰减主要是由测量引起
的误差，其次就是电池表面摩擦或积尘，
导致绒面受损，
< br>影响受光而效率下降，再则是由于
银浆氧化而改变接触电阻，
导致填充因子下降。
还有就是电池片在分选后存在隐裂而效率变
低。不知各位还有什么高见
好像低电阻率的硅片，可以作出高功率的电池片，但衰减很快
主要跟少子寿命有关系，
多次回收的
材料，电阻率可能合格，
但是少子寿命很低，
做出来的
片子转换效率会衰减的很快。
我听说衰减的解释是：
因为我们都是用的
P
型材料，
里面含有硼元素，
硼和氧形成硼氧复合
对导致的衰减。
光照衰减与扩散有何关系？
前一阵听
一个硅片厂家的人说，光照衰减有三个影响因素，
1
，片源，<
/p>
2
，扩散工艺，
3
，组
件工艺。
也不知是真是假的。
扩
散工艺会影响到光照衰减么？是什么样的原理呢？请高手解
答一下。
排除组件影响，
单论电池片，
衰减和材料关系最大。排除暗光时的
shunt
，
BO
衰减是主要衰
减机制，和扩散的关系。。理想条
件下应该是没有的。当然实际生产中引入的杂质、原始应
力释放，有那么点关系吧。
注意：上面提的是扩散工艺而非扩散，
高温扩散不同的温度可改变硅片的性质。
< br>光照衰减根据尚德的研究最主要是硅片内硼与氧原子的结合所导致的，
所以跟扩散
相关性不
大的。
探讨一下单晶组件的初期光衰减
单晶
硅电池组件在初期会有
2%-4%
的光衰减
（持续光照
1
到
2
天或者
1
个太阳下
1
到
2
小时）
，
这已被很多测试所证实，目前各组件厂家对此衰减的影响态度不一，我咨询了若干组件厂，
大部分觉得无所谓，因为卖出去的时候很多客户不懂，只测一个初期效率，只要保证
20
年
80%
以上效率即
可。只有做大电站的客户才对此数据敏感，因此一般大厂比价重视初期光衰
减，
比如尚德。
想请问一下各位，
此衰减真的对你的
用户无所谓嘛？如果能够花一些成本来
抑制或者消除初期光衰是否厂家愿意采用呢？
组件的衰减关键是单个电池片的衰减。
当然，封装材料，
EVA
，背膜的老化等在后期使用中
也会造成组件功率的衰减。
单纯生产组件的加
工厂，
如果想从本环节去减少这种衰减难度很大。
然而如果把这
个问题交
给电池片生产厂去解决的话，
这不仅仅靠生产工艺就能
解决的问题，
还有待于核心技术的提
高……
请教光致衰减和波长的关系
关于光照会造成晶体硅电池体内的硼和氧结合成硼氧对，
形成复
合中心，
缩短电池寿命。
那
么这种机理
跟波长有没有关系？是否某波长以下的光子才会形成硼氧对，而长波长影响较
小？
1.
衰减只是会降低效率
,
跟电池寿命没有必然联系吧
.
2.
在正常的波长范围内
(300nm-1100nm),
光致衰减都会发生
,
且与波长大小没有关系
.
因为光致衰减本质上是与入射光子激发的载流子有关
.
3.
衰减的快慢与光强有关
,
光强小
,
衰减慢
.
电池片衰减的问题
刚做好的电池片<
/p>
180
瓦的
72
片，理论一般都在
17.25
的效率，在仓库放了一天，在做成
组
件，就相差
5
到
6
瓦，测试环境都是标准的
组件衰减
各位兄弟姐妹，您们好！
对于组件来
说，
我是很茫然的，
前两天开会老大下了一个任务，
就是对组件的衰减问题提出
探讨．可是我真的是不懂啊！！
在此，向各位咨询一下几个问题：
（１）组件为什么
衰减？原理是什么？（２）如何使组件
输出功率达到一个稳定？原理是是什么？
（３）（这个问题估计是光伏界都关心的问题八）怎样才能使组件减少
衰减？！
摆脱各位了，
不管是经验还
是理论，
还是您手上能够共享的资料，
请赐教，
在下感激的很！
！
有机会一定请客吃饭！！
我也是菜鸟，道听途说了一些，共享之：
组件的功率测定是在实验室标准条件下进行的，拿到室外使用，因为环境（气温、光照等）
< br>不同测试出来的结果肯定不一样，一般来说大概会
5%
或
更多的功率下降。组件在使用一段
时间后就会达到稳定状态，
至
于如何减少衰减，
关键还是从材料、
技术包括生产过程来控制<
/p>
了
太阳能电池板衰减和什么有关
太阳能
电池板衰减和什么有关各位大虾，
有谁知道太阳能电池板的衰减和什么有关系！
要
注意什么？
单晶主要是因为光照下氧硼反应，
生
成复合中心降低少子寿命。
所以现在又掺镓的
P
型硅片，
正是出于这点考虑，但是镓原子比较大，也会有一些负面效应……
非晶的话比较复杂，一说是因为
H
在光照下……一系列复杂反应。
不知道是哪家的电池，衰减主要是衰减电流，怎么会衰减电压呢
电池衰减
为什么单晶比多晶衰减的多
,
大约两个百分点
!!!!
关于光致衰减的问题
最近几年，单晶
硅电池光致衰减过大的问题是一个不能回避的大问题达到
6-10%
；如组件公
司在包装时上下偏差组件混装，
而终端用户安装
时未重新分档，
组件不匹配问题也引起功率
下降。
上述两个问题直接导
致终端用户电站实际发电功率比理论计算值大为减少。
这是一个很
实际的问题，不知各位大虾有否好的解决办法。谢谢！
关于衰减
现在好多的厂家都在做衰减实验，小弟想问下都是用的什么灯？
衰减的时候需要模拟组件在日光下的情况吗？
我们公司都是在外面晒太阳
只是在外面晒太阳测试的组件衰减是不准确的
,
要加上负载的
.
衰减有很多讲究的：
1
、你的来料，也就是
Wafer
的电阻率等参数
2
、扩散后的电阻值
3
、光源
4
、玻璃的厚度和透光性等规格
还有要考虑环境的影响，环境差的会加速氧化
.....
对于楼上的户外衰减，根据相关标准，组件必须处于短路状态，总承受
60KWH/M2
的光照。
衰减程度的标准是小于等于
5%
吧
组件寿命衰减的因素
大家好，
在组件的使用过程中，
组件的寿命逐渐衰减，
直到
25
年后，
衰减功率的
2
0%
，
在此期间，
有
< br>EVA
的老化降低透过率，
背板老化降低安全因素，
请问有没有影响电池片的方
面（比如光谱相应会不会降低，会不会影
响少子寿命）？期待专家指教。
肯
定有的啦，
做过试验，
不同的电池片用相同的辅助材料做出的组
件头几天的衰减都不一样！
为什么掺镓的
cell
效率衰减也很高
不知道是不是我们衰减测试的方法有问题啊
我们就是用很强的卤素灯照几天……
各硅料厂家的掺镓技术掌握的不一样
谨慎怀疑
,
有的厂家的掺镓料里面还是有不少硼掺杂剂
.
厂家说我们的掺镓片是掺了镓的呀，但没有讲不掺硼啊
~99%
的硼，再加
1%
的镓，也是掺镓
的！
光衰减问题
正常掺硼电池片的衰减一
般来说是什么情况，
请有兴趣的人来讨论下：
要衰减到最低，<
/p>
需要
多久的日照？
效率越高，衰减越低么？
一般电池平均衰减大概是多少？
不同片源的硅片，相差多大？
这很难有定论，
关键是拉晶时形成的氧沉淀的位错的量，
这决定硼氧复合的量，
电致发光成
像找到这一类型
的位错片子的效率都很低，退火后片子的效率会有较大幅度提高，但光照
20
分钟会很快衰减。
尚德的光衰机？我只听说中电有光衰的专利，尚德的就不清楚了
问过专家了，正常的
17%
效率左右掺硼的电池片，光衰减达到
0.5
左右
。而低效的
14%
左右
的片子，光衰减
要超过
1
。片源如果差一点，
17%<
/p>
效率的电池片，光衰减就要超过
0.5
这
个
正常范围了。但具体达到多少，还要看片源的质量倒底有多差。
一般来说，效率高的片子，光衰减就要低一点。
掺镓的电池不在此例。据说其光衰减几乎可以忽略不计。
控制在光衰
1
小时后，衰减率
<1.0%
Suntech
我的感觉是同样的片源，中等效率的比较稳定
，如
16.5
的也就衰减个
0.2
，但
17
以上的高
效反而衰减要有
0.5
，这个如何解释？
根据生产：
层压后的电池片是有
损伤的，
效率越高的电池片损伤越厉害！
生产电池片的朋友
可能有更全面的解释！请再补充一下
<
/p>
大部分还是由于
BO
引起的。其余是由于
并联电阻大在暗光状态下导致的硅
bandgap
减小造
成的，这个是可逆的，但并非绝对
请教高手关于功率衰减的比率值
!!!!!!!!(
< br>精贴必加分
)
请教各位光伏高手
:
有没有关于组件功率衰减的数据
;
例如
:
1.
组件标称设计功率为
100W(120W,170W
都可以
),
一个月后功率衰减
%
多少
;
二个月后功率衰
减
%
多少
;
三个月后功率衰减
< br>%
多少
..........
一
年后衰减
%
多少
;
有没有一个比率
?
或者参考
的值<
/p>
;
2.
有没有实验数据可以证明衰减的
比率
这个要看具体的日照情况，
非晶
硅的衰减率大致在
30%
左右，
封装效
果不好的话可能达到
50%
组件衰减
请问组件在经过最初的暴晒后，每块电池片的工作电压会下降多少？
电压一般不会降。
就算组件功
率下降比较大，
只要不是有电池完全失效，
一般电压都不会变。
电压一般降得很少，电流比较明显
组件的电压一般是不会变化的，功率和电流会发生明显的变化，
请问做光衰减最好用什么条件
我想做
电池片光衰减测试，
可是不知道应该用多少瓦的什么样的灯光，
照多少小时，
没多少
小时照一次？
<
/p>
并且用
PV
量测效率，总是有波动，时间
久，还要调机台，对效率衰减测试都有影响。
有没有哪位给个比较完整的建议啊
谢谢了
卤素灯
,
氙灯
,
都是可以的
如果想做深入研究的话
,
最好查阅一些文献
全部衰减和衰减到一定程度都分别指什么呢？
据说现在有一种设备能使电池提前衰减到稳态，
避免衰减快慢和程度的电池装在
一个组件里
引起的
“
热斑
”
等现象，不知道大家对这个设备有没有研究？能否讨论一下？
我建议用白炽灯和太阳灯组合的光源可以做衰减！或者放太阳下暴晒
提前衰减到稳态，
避免衰减快慢和程度的电池装在一个组件里引起的
“
热斑
”
等现象，
不知道
大家对这个设备有没有研究？能否讨论一下？
...
还有不能提前衰减到稳态的吗？
电池在发电过程中师一直在衰减的，目前组件厂家对电池衰减
要求是
10
年
不超过
10%
，
25
年不超过
20%
。所以衰减只能相对衰减到较为平衡而
已。前期衰减厉害主要是间歇氧和
B
，形成的彭阳键的原因。目
前很多公司都采用近红外的光进行衰减，因为其波长的能量鹏
杨建易吸收，形成衰减。<
/p>
关于电池片衰减原因
各位高手，能帮我解答一下以下问题吗？
1
、电池片效率衰减的原因有哪些？（哪些因素会影响到电池片效率衰减？）
2
、多晶电池片为什么衰减会比单晶的要小
？
3
、衰减公式怎么算的？及
LID
与
TID
的算
术关系。
感激不尽！！
什么情况下衰减的，<
/p>
是电池片线上下来就有这情况吗？这个俺不懂。
不过这个问题，<
/p>
很想知
道答案。我来顶一下。
我只知道组件层压后会有衰减，
但一般是多晶的大些。为什么会这样，<
/p>
我不清楚，
实际就这
样。
请高手来解答。敬礼致谢！！
谢谢你的回复，电池片衰减在生产线上下来之后就会发生，但
衰减到一定时间后就稳定了，
退货处理之后会恢复原先的效率
退火处理之后，效率会恢复到原来的状态。
电池的衰减大小取决于硅片的杂质如何，
片子都会存在衰减，
只是大小不同而已，
但是片子
在暴晒之后会衰减完，基本稳定了
1
）硅片质量差，电池片本身的含氧量，及含硼量过高，导致电池出现较
大幅度的初始光致
衰减，主要原因是
P
型（掺硼）晶体硅片中的硼氧复合体降低了少子寿命。
（输出功率在刚
< br>开始使用的最初几天内发生较大幅度的下降，但随后趋于稳定的情况）
多晶硅薄膜为什么无效率衰减问题？
多晶硅薄膜为什么无效率衰减问题呢？
请问：硅太阳能电池的光致衰减设备？
我在组件板块看到一个问题，十分有兴趣，如下：
关于光致衰减的问题最近几年，
单晶
硅电池光致衰减过大的问题是一个不能回避的大问题达
到
6-1
0%
；如组件公司在包装时上下偏差组件混装，而终端用户安装时未重新分档，组件不<
/p>
匹配问题也引起功率下降。
上述两个问题直接导致终端用户电站实际发电功率比理论计算
值大为减少。
这是一个很
实际的问题，不知各位大虾有否好的解
决办法。谢谢！
在这里，
很想了解是否有设备能够加速电池的衰老，
使其快速达到稳定状态，
从而避免混装
问题在组件使用中的体现？在此谢过各位高人了！
衰减不是效率虚高
两码事
这是直拉掺硼单晶硅（
P
型晶体硅）的一个缺陷
解决办法：
1.
改进控制工艺降低拉晶棒中氧的含量
因为初始光致衰减衰减就是硼氧复
合体降低了少子寿命
.
2.
.
现在已经陆续有公司改用掺镓来代替掺硼
效果很好
3.
利用磁控直拉硅单晶工艺（
MCZ
）改进单晶硅棒质量
4.
用区熔单晶硅工艺
改进单晶棒质量
< br>5.
用掺磷的
N
型硅代替掺硼的
P
型硅
等
当然
硅片
质量电池工艺
组件封装工艺控制不好
等都会导致组件的早期光之衰减
对于组件封装
电池片的一致性对衰减
至关重要
不仅电池的电性能要一致
（
注意
串并联电阻）
还要电池的衰减性能也要一致
等
才能保证组件性能、寿命的最优化使用
请教关于电池片厚度是否与衰减有相关性？
< br>最近听说硅片薄的话，
电池的衰减会比较快，
请教这个说
法是否确切，
是否有缺失根据？另
外请教硅片
< br>170
、
180
、
190
、
200
大概的破片
率？（只需要业内大概的数据，不需要透露你
们公司的确切数据，呵呵）在此感激涕零！
衰减和硅片的厚度没有直接的关系
，
目前的单晶工艺因为掺硼，
从而导致硼氧复合成为可能，
有证据证明，硼氧复合才是衰减的根本原因。
硅片在任意一点不低于
180
的条件下就可以了，
基本上中心点会在
185
－
190,
破片在千分之
一左右。
发表于
2009-4-21
14:11
只看该作者
尚德从去
年
10
月份开始倡导掺镓工艺，
并且到
09
年底，
全部采购掺镓硅片。
实践证明掺镓
的硅片衰减方面确实胜人一筹，平均在
< br>1%
以内。
我这边有掺镓的硅
片，在浚鑫做的电池和组件，实物晒了快一个月了，
衰减少得很，几乎为
0
。
若是谁有意，我可送点样片给试试，站内发消息给我即可。
昨天拜访了夏普的日吉社长，他也同意试试我的掺镓硅片。
实验过，衰减确实很低
楼上可透漏下价格？
硅片衰减问题
请教高手，
硅片衰减的原因是什么，
是否与拉单晶与切片相
关？主要影响其的因素有哪些？
谢谢大虾赐教！
现在主流的观点是硼氧合物导致衰减，可以肯定氧在里面确实
扮演了致衰的角色。
具体硼氧合物
影响的程度有什么关系吗？目前我们的单晶氧含量控制在
5*10
的
17
次方
只是根据现象而判断的，
实际上没有
试验证明。
事实上，
也有很多说法倾向于其他深能级金
属杂质
（硼铁或其他）导致的复合作用，
因为是
在光照下慢慢发生的，
因此被认为是光致衰
减。
外行看热闹，硼氧复合，金属杂质，替位碳。衰减
多少算正常，
2%
，
3%
，
4%
，有无标准·，
请高
人帮忙。
电池片放在空气中功率衰减？
我有一
批电池片未封装放在空气中半个月之后，重新测了一下功率，发现功率衰减了
6%
左
右，敬请给为高手赐教，有什么因素导致地呢？谢谢！
栅线氧化了
最大因素
对，电池是需要密封的栅线出现了问题。
光致衰减是一个因素，栅线氧化在室温下能够发生吗？大家讨论一下
不要怪银栅线啊
(
没附着好除外
),
银是很稳定的金属
,
空气中不
会氧化
,
常见有表面轻微发黄
(
硫化
),
轻轻擦掉测量接触的表面端
,
体电阻无变化
.
铝背
场倒是容易吸潮氧化的
,
贱金属不
稳定
的
...
银稳定不会氧化，时铝氧化的
银稳定？我不记得是无机化学是这么讲的！
纯银在空气中会氧化，<
/p>
你的银首饰放置一段时间
以后表面会发黑，
那就是氧化层，
擦掉表面氧化层以后会还原银的本色，
不过氧
化层会阻止
内部继续氧化，和氧化铝的道理一个样。
不过我们讨论的是栅线，
不是纯银，
栅线放置久了就会发黄，
尤其是南方，
空气中水分很大，
尤其要注意，一般来讲电池片不允许直接暴露在空气中超过
48
小时。
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